核心参数
- 仪器种类:实验室
- 测定原理:其它
- 测定范围:0.01~5mg/L
- 测定准确度:±1%
- 检出限 :≤0.005mg/L
- 测定时间:30样品/小时
- 批处理量:不限
产品介绍
产品详情
1.适用于6/8/12英寸,导电/高纯半绝缘型SiC晶体生长。
2.适用于长时间、高质量、规模型晶体生长。
3.拥有高精度的控温、控压能力、工艺性能优良、设备一致性好,具有丰富的量产经验。
4.可选恒功率、恒电流、恒温工作模式。
5.一键智能启动、减少人工干预、利于规模化生产。
6.紧凑立体化的整机设计、方便布局、提高厂房利用率。
7.采用高精度蝶阀和质量流量计控制炉内长晶压力,提供稳定的长晶气氛。尤其在晶体生长压力下最高可达到士1Pa的控压精度。
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