核心参数
- 仪器种类:实验室
- 测定原理:其它
- 测定范围:0.01~5mg/L
- 测定准确度:±1%
- 检出限 :≤0.005mg/L
- 测定时间:30样品/小时
- 批处理量:不限
产品介绍
主要推广产品为第三代、第四代半导体高端装备,PVT晶体生长炉、电阻法晶体生长炉、液相法晶体生长炉、HVPE氢化物气相外延炉(氮化镓)、LPE氮化物高压晶体生长炉、HVPE卤化物气相外延炉(氧化镓)、导模法晶体炉、氧化镓垂直布里奇曼晶体生长炉。
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