1、机台采用进口劳士领板材，长期可工作在酸腐蚀环境，坚固耐用，双层防漏。2、滚筒内清洗，用于SIO2原料的清洗工艺。3、可设计手动全自动运行设计，全自动运行方式采用两只机械手运行，更有效提高效率降低成本。4、清洗能力：10-20kg/批5、全方面的警报提示功能，防呆设计功能。6、模组化设计，腐蚀槽、纯水冲洗槽放置在一个统一的承漏底盘中，底盘采用满焊接工艺加工而成，杜绝机台的渗漏危险。7、后部排风和下沉式设计，排风区酸碱隔离，风量可调节，对操作员有安全保护。8、控制部分采用进口品牌PLC和HMI.9、设备槽位区配备PTFE材质2只纯水枪和2只氮气枪，方便操作员手工清洗槽体或工件。10、设备设计标

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1、机台采用进口劳士领板材，长期可工作在酸腐蚀环境，坚固耐用，双层防漏。2、采用外置大酸槽制冷循环到小酸槽的结构，可腐蚀开沟4“，5”，6“硅片。3、全自动运行设计，操作方便安全。4、温控能力RT~-20°C，温控精度±1°C。5、制冷盘管专利设计，长时间使用不会腐蚀，直接制冷效果佳。6、开沟均匀，130μm可达±3μm。7、控制部分采用进口品牌PLC和HMI；8、机台前部配备有PTFE纯水枪和PTFE氮气枪各1只置于右侧。9、设备设计标准按半导体行业标准（SEMI-S2-93）执行，ISO9001质量管理体系进行规范和保证。10、国内发明专利号：ZL20140082522.0

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1、用于硅、碳化硅、氮化镓等半导体材料的单片腐蚀、清洗、刷洗工艺。2、机台可实现多尺寸兼容(4&6寸;6&8寸;8&12寸)。3、工艺腔体经过优化设计，高性能FFU,配合可调节高度的CUP,形成一个稳定强度的downflow，严格控制wafer表面工艺区域的动态环境。4、可以实现药液(酸/碱/有机)的排废分离，无药液的交叉污染。5、可适用衬底及外延清洗、PRstrip、Oxideremoval等工艺。6、支持GEM/SECS协议，支持MES系统联机。

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