使用金刚线或游离砂浆切割半导体碳化硅、蓝宝石等硬晶体的摇摆型切片专用设备。性能优势加工直径兼容6英寸、8英寸，实现一机多用；装载量最大450mm，实现多锭同时切割；最大线速度可达2100m/min，处于行业领先水平；进给机构可实现高精度超低速进给，且可进行高低速切换；主轴、绕线轮轴采用循环水冷方式，确保高速、长时间稳定可靠运行，轴承寿命长，使用成本低；所有动力驱动采用高精度伺服电机驱动，控制光纤通信，响应速度快，并采用圆弧同步带高精度平稳传动，运行可靠；通过模块化切换，可兼容砂浆、金刚线切割。碳化硅多线切片机设备尺寸W2125xD3985xH3015mm设备重量约11000kg加工能力直径（或

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主要用于硅片、石英、陶瓷、玻璃、晶体、石英晶体等泛半导体材料双面高精密研磨与抛光。性能优势研磨过程全自动控制；工艺过程平稳运行；采用触摸屏，操作方便；有限元分析设计，受力均匀，结构稳定；自主操作系统，操作简单，易学易懂；自润滑系统，自动给油，长期免维护；丰富选配，适用多种材料加工模式。双面研磨/抛光机型号HDL/HDP-22B设备尺寸W3800xD3300xH3600mm设备重量约11T加工能力直径（或对角线尺寸）Ø25~480mm厚度0.3~50mm支持系统电源容量Max.35kW电源电压AC380V,3P压缩空气（供给压力）0.6MPa以上定盘主电机15kW(3电机)，11kW+7.5kW

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采用感应加热方式，在石英管/不锈钢腔体内以物理气相传输法（PVT）生长高纯SiC晶体。6~8英寸碳化硅长晶炉（电阻式）晶体尺寸6~8英寸工艺PVT加热方式电阻式基本参数主机尺寸W3250xD5200xH4950mm整机重量约5T支持系统电源容量180kVA电压380VAC±10%,3P,50/60Hz冷却水压力0.2~0.5MPa流量＞200L/min工艺气体压力＞0.2MPa压缩空气压力0.5~1.0MPa

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