山东晶升电子科技有限公司

山东晶升电子科技有限公司坐落于泉城济南，是一家专注于宽禁带半导体装备研发和生产的***高新技术企业，研发范围覆盖半导体装备研制、长晶工艺，已形成系列自主知识产权，实现先进技术自主可控。致力成为行业宽禁带半导体关键装备供应商，并在济南市长清区建设了宽禁带半导体装备制造场地。主要推广产品为第三代、第四代半导体高端装备，PVT晶体生长炉、电阻法晶体生长炉、液相法晶体生长炉、HVPE氢化物气相外延炉（氮化镓）、LPE氮化物高压晶体生长炉、HVPE卤化物气相外延炉（氧化镓）、导模法晶体炉、氧化镓垂直布里奇曼晶体生长炉。

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主推产品

晶体提拉炉

型号：晶体提拉炉

产品用途：本公司生产的晶体提拉炉可以用于提拉法拉制各种高品质氧化物固体单晶材料（如铌酸锂、二氧化碲、YAG，蓝宝石，YSO，LYSO等）。产品规格：50型，60型，80型，100型，120型。产品参数：1.通过上称重来控制晶体各阶段（包括自动升温、晶体放肩，等径，收尾及自动提起降温等阶段）自动生长功能。2.提拉速度范围:+/-0.1—2000mm/h。3.旋转速度范围:±1-30rpm。4.光栅数码显示：显示分辨率(0.001mm)。5.不间断电源：使用1KVA增强板UPS，连续供电时间约30min。6.具有电源故障报警功能。

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坩埚下降提拉炉

型号：坩埚下降提拉炉

技术参数：1.二温区/三温区/五温区多种规格。2.进口发热体，50-1200℃连续可调。3.温度精度±0.1℃。4.坩埚旋转功能，具备梯度旋转功能5.位移精度1μm。

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LPE氮化物晶体生长炉

型号：LPE氮化物晶体生长炉

产品参数简介:1.Na助溶剂液相外延生长2-4-6英寸GaN晶片，也可用于高压助熔剂法探索新型氮化物晶体。2.助熔剂法（NaFLUXMETHOD）生长氮化镓（GaN）单晶具有诸多优势是目前国际上公认的可实现高质量、大尺寸氮化镓体单晶产业化生产的生长技术之一。3.双温区加热，最高使用温度1100°C，最高压力7Mpa。4.氮气溶解速度快，分布均匀，生长速度可达20微米/小时。5.可外延生长高结晶质量和低位错密度的单晶。

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晶体提拉炉

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坩埚下降提拉炉

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LPE氮化物晶体生长炉

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