产品应用/Product Applications：

适用领域：单晶生长、外延生长

Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth

适用材料:  GaN（单晶）、AIN（单晶/外延）、Ga2O3（外延）

Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial)

晶圆尺寸:8/6 英寸

Wafer Size: 8/6 inch

技术指标 /Technical Parameters：

加热温度：1100℃、1600℃（高温HVPE)

Heating Temperature: 1100℃, 1600°C (high-temperature HVPE)  

加热方式：电阻

Heating Method:Resistance