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产品应用/ProductApplications：适用领域：单晶生长RelevantIndustries:SingleCrystalGrowth适用材料:Si、AIN晶圆尺寸:12/8英寸WaferSize:12/8inch技术指标/TechnicalParameters：制程温度范围：2400°CProcessTemperatureRange:2400°C加热方式：感应/电阻
产品应用/ProductApplications适用领域：单晶生长RelevantIndustries:SingleCrystalGrowth适用材料:SiC、AINSuitableforProcessing:SiC(SiliconCarbide),AlN(AluminumNitride)晶圆尺寸:12/8英寸WaferSize:12/8inch
产品应用/ProductApplications：适用领域：单晶生长、外延生长RelevantIndustries:SingleCrystalGrowth,EpitaxialGrowth适用材料:GaN（单晶）、AIN（单晶/外延）、Ga2O3（外延）SuitableforProcessing:GaN(singlecrystal),AlN(singlecrystal/epitaxial)Ga2O3(epitaxial)晶圆尺寸:8/6英寸WaferSize:8/6inch技术指标/TechnicalParameters：加热温度：1100℃、1600℃（高温HVPE)HeatingTemper
PVT法长晶炉——感应炉
面议PVT法长晶炉——电阻炉
面议HVPE 法单晶生长设备 —立式
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5月9日上午，区人大常委会主任熊高翔、槐荫经济开发区管委会主任胡民安等人大常委会一行人莅临山东力冠微电子装备有限公司开展视察调研，深入了解企业科技创新与产业发展情况，山东力冠负责人陪同讲解，全面介绍企业发展情况。在视察过程中，首先播放了企业宣传片，代表们通过生动的画面和详细的介绍，对公司的发展历程、核心技术、主要产品等方面有了初步的认识。随后，一行人参观了企业荣誉及产品长廊。长廊中陈列着公司近年来
山东力冠再启新征程！近日，山东力冠微电子装备有限公司成功布局12英寸半导体核心设备领域，推出氧化/合金/退火/LPCVD/ALD全系列12英寸设备。自2013年创立以来，公司从4英寸炉管设备起步，脚踏实地，先后完成6英寸、8英寸设备的自主研发与迭代，最终实现12英寸炉管设备的全系列覆盖，公司以完整的产品矩阵跻身大尺寸半导体装备国产化阵营，为中国半导体产业的自主可控注入强劲力量。聚焦核心赛道12英寸
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