ICP-RIE等离子体刻蚀系统

ICP-RIE等离子体刻蚀系统该系统通过使用独特的龙卷风式线圈电极，有效地产生稳定、高密度等离子体，从而实现对硅以及各类金属薄膜和复合半导体的高精度各向异性蚀刻。特性可处理最大尺寸为230毫米(3英寸X5.4英寸，3.08英寸x1英寸)的晶圆。对称抽气设计与TMP结合，形成高效气流优化的气体歧管，可均匀输送工艺气体可选的光学/干涉式终点检测系统可在多次工艺运行中实现精确蚀刻深度控制。工作台的ESC和He冷却以及反应腔内侧壁的温度控制，可在稳定条件下进行蚀刻

抛光机

抛光机300mm晶圆全自动最终抛光机，专为极高的边缘轮廓和均匀去除率设计特点畅销款300毫米最终抛光机。实现原子级超镜面和高亮度表面。抛光台有3个平台，第1、2、3平台可同时抛光6片品圆最适合需要大量抛光去除的晶圆和TSV晶圆的解决方案。规格