具备晶圆翘曲、厚度、微观形貌、膜厚等几何参数的测量功能，广泛应用于半导体衬底制造、晶圆生产、芯片封装制程工艺管控、晶圆厚度分拣、玻璃基板、显示面板、MEMS器件等制造工艺过程。模块化集成晶圆翘曲、厚度、层厚、粗糙度、膜厚等测量功能，使用一台量测设备便可完成THK、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度Sa/Ra、层厚和膜厚等参数的测量。

WT_i 系列产品可以按照用户要求配备晶圆自动传输系统 (Open Cassette / Loadport)，可以满足6，8，12英寸晶圆或者带框架晶圆的自动几何形貌测量，支持灵活配置方案，支持SECS/GEM 。

产品优势

✔️ 灵活配置测量模式：5点，49点，米字线，脉冲线

✔️ 测量适应性强：粗糙表面，抛光面，图形面

✔️ 全面的测量功能满足半导体制造各工艺阶段的晶圆几何量测需求

• 单探头、双探头厚度测量

• 全口径翘曲测量及膜应力测量

• 表面粗糙度/微观形貌

• 纳米级膜厚测量

✔️ 测量结果 2D/3D Mapping

✔️ 详细的数据输出、记录管理功能

适用对象

 6 -12 英寸硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、蓝宝石等晶圆衬底；键合晶圆；带膜层晶圆

适用领域

✔️ 半导体及玻璃晶圆的生产和质量检查

✔️ 半导体制程和封装减薄工艺的过程控制和故障分析

测量原理

1. 采用高精度光谱共焦位移传感器结合补偿算法实现高精度晶圆厚度和轮廓测量

2. 预置多种扫描路径及插值拟合算法实现快速厚度差和翘曲分布测量和参数计算

3. 基于光谱干涉原理的厚度和膜厚测量：宽谱光波在晶圆和膜层的两个表面进行反射，并发生干涉，对光谱干涉信号进行FFT和拟合，计算出两个表面之间的厚度

4. 白光干涉三维显微测量原理：采用白光光源，将非相干光干涉和高分辨率显微成像技术相结合，高精度重构微观三维轮廓，纵向测量分辨率可达到亚纳米量级

实测案例