立方碳化硅，又名β-SiC或3C-SiC，属于立方晶系（等轴晶系），理论密度为3.21g/cm3，其莫氏硬度9.25-9.75。立方碳化硅具有优异的半导电、耐磨削、耐腐蚀、耐高温、耐热震、耐辐射，高热导率、低膨胀系数、低比重、良好的抗蠕变和抗断裂性能等优异性能。主要应用于半导体、高技术陶瓷、高级SiC制品、精密及超精密磨抛、复合材料、3D打印、涂层镀层、热喷涂、**化工、航空航天、核工业等众多工业领域。