核心参数
- 仪器种类:实验室
- 测定原理:其它
- 测定范围:0.01~5mg/L
- 测定准确度:±1%
- 检出限 :≤0.005mg/L
- 测定时间:30样品/小时
- 批处理量:不限
产品介绍
碳化硅单晶生长炉主要应用于生长6英寸N型及半绝缘碳化硅单晶衬底。碳化硅单晶具有高热导率、高化学稳定性、低热膨胀、高饱和电子漂移率等优点,在白光高效照明、电力输送与转换、耐高温电力电子器件等民用领域应用广泛,同时在雷达通讯、航空母舰、舰舶等军事领域可提高军事电子系统和武器装备的性能,有着明确应用背景。
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