核心参数
- 仪器种类:实验室
- 测定原理:其它
- 测定范围:0.01~5mg/L
- 测定准确度:±1%
- 检出限 :≤0.005mg/L
- 测定时间:30样品/小时
- 批处理量:不限
产品介绍
Low-K半导体的发展
HGL1151系列是集成了通用智能核心技术的半导体晶圆Low-K层开槽设备,全自动一站式加工,晶圆上料→预清洗+保护层涂布→激光开槽→后清洗+干燥→晶圆下料,所有工艺过程一气呵成。产品全系采用高性能激光器及空间光整形系统,标配超高精密气浮式高速加工平台,切割过程实时监控··实时纠偏等功能,确保Low-K晶圆开槽的精度一致性和质量的稳定性。本产品的开槽精度高,槽形优异,尤其对热影响区的控制达到国际最高水准。主要技术性能达到国内领先,部分技术性能超过国际同类产品,是全面替代进口开槽设备的最佳选择。
Low-K激光开槽工艺优势
• 非接触加工、无物理应力、无晶圆碎裂风险
• 通过动态激光实时控制,工艺设置简单灵活
①自由改变开槽宽度
②自由设置槽底平滑度
• 运用方便,运用成本低
①一次定位、一次清洗,
②工艺过程清洁
③无环境污染
④基本无耗材,运用成本极低
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