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核心参数
- 仪器种类：实验室
- 测定原理：其它
- 测定范围：0.01~5mg/L
- 测定准确度：±1%
- 检出限 ：≤0.005mg/L
- 测定时间：30样品/小时
- 批处理量：不限
产品介绍
一、设备结构
二、设备概述
氮化铝晶体生长炉主要用于物理气相传输法（PVT）生长大尺寸、高质量AlN单晶。
三、设备优势
1、建立温场与AlN半导体晶体生长动力学的精准关系，揭示晶体结晶和动力学过程，解决扩径难、易开裂等生长难点科学问题。
2、优化坩埚和温场梯度结构的设计，实施动态检测晶体生长过程和温场边界条件，自主搭建国际上首个大尺寸AlN单晶生长炉。
四、设备参数
| 反应器尺寸 | 直径500mm x 900mm | 电源频率，HZ | 50±1 |
最高操作温度2600° C （氩气中） | 相数 | 3 | |
| 工作气体 | 氩气，氮气 | 压缩气体，Mpa | 0.6 |
| 最大真空值 Torr | 10-5 Torr | 最大功率，kw | 50 |
| 电源功率 kw | 75kw | 晶体生长天数，天 | 7 |
| 电源工作频率 kHz | 15kHz | 氮气消耗量，m3/炉 | ≤6 |
| 自动化参数控制系统 | 电极接法 | △ | |
| 冷却系统 | 20kW冷却装置（闭合电路） | 设备外形尺寸（长x宽x高）mm | 1920x920x2790 |
| 电源电压，V | 380±19 | 最大电流，A | 90 |
| 输出电压，V | 500-550 |
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哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
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