磷化铟（InP）是由铟和磷构成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，属于第二代半导体材料，常温下呈银灰色固体，其具有闪锌矿结构，晶格常数5.869Å。它在常温下的禁带宽度为1.35eV，是直接跃迁型能带结构，发射波长0.92μm，熔点温度1335K。

InP与传统Si半导体材料相比，其禁带宽度更大、电子迁移率和饱和速率更高，击穿电压更高，此外还具有工作温度高、抗辐射性能好等优点，适用于制作高频、高功率器件。

磷化铟多晶材料是磷化铟产业链的上游原料。