磷化铟是重要的Ⅲ-V族化合物半导体材料，由高纯红磷和高纯铟合成，是新一代光电子功能基础材料。InP具有禁带宽度大、电子迁移率和饱和速率高、击穿电压高、工作温度高、抗辐射性能好等特性，同时也是制作高频器件的理想材料。