北京铭镓半导体有限公司

北京铭镓半导体有限公司北京铭镓半导体有限公司于2020年11月20日成立。法定代表人陈政委。公司致力于研发和生产新型半导体人工晶体材料，包括第四代半导体材料氧化镓、高频磷化铟晶体和大尺寸掺杂光学晶体。北京铭镓半导体有限公司致力于研发和生产半导体人工晶体材料，包括第四代半导体材料氧化镓、高频磷化铟晶体和大尺寸掺杂光学晶体。总部位于北京市顺义区，全资子公司位于河南省安阳市，山东省济南市，广东省深圳市，在义乌、上海、广州、南昌设立业务办事处。铭镓半导体是国内率先研发生产新型半导体氧化镓材料，也是国内少数生产磷化铟晶体、大尺寸掺杂光学晶体的企业之一，技术水平国际领先，公司具有高科技、高利税、高附加值、

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主推产品

磷化铟多晶

型号：mj-3

磷化铟是硅半导体之后发展起来的第二代半导体是制造各种光电器件、光纤通讯器件的绝佳材料。光通信器件应用InP基材质可以制造激光器、调制器、探测器及其相关模块，这些器件有很好的波长单色性，发出的光在光纤中可实现无损传输.因此磷化铟成为光通信器件的首选材料甚至是唯一材料。

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氧化镓外延片

型号：mj-2

MOCVD是Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和Ⅴ、Ⅵ族元素的氰化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延每升涨各种Ⅲ-Ⅴ主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体，以及他们的多远固溶体的薄层单晶材料的生长方法。铭镓半导体研发团队针对650V/2A-100A、1200V/2A-50A、1700V/5A-20A规格的氧化镓肖特基二极管和各种射频器件设计与研发，已成功制作出不同导电类型的同质外延/异质外延片

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氧化镓单晶

型号：mj-1

氧化镓，禁带宽度为4.2-5.3eV，是一种极具前景的超宽禁带氧化物半导体材料。其击穿电场强度高达8MV/cm，是Si的近27倍、SiC及GaN的2倍以上，巴利加优值分别是SiC、GaN的10倍、4倍以上，是制造超高功率半导体元器件的优良选择，同时在制造相同耐压的功率元件时，元件的损耗极低。是未来深紫外光电子器件、高功率器件、高频通信器件等器件制造的关键材料之一。

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