氧化镓，禁带宽度为4.2-5.3 eV，是一种极具前景的超宽禁带氧化物半导体材料。其击穿电场强度高达8 MV/cm，是Si的近27倍、SiC及GaN的2倍以上，巴利加优值分别是SiC、GaN的10倍、4倍以上，是制造超高功率半导体元器件的优良选择，同时在制造相同耐压的功率元件时，元件的损耗极低。是未来深紫外光电子器件、高功率器件、高频通信器件等器件制造的关键材料之一。