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核心参数
- 晶圆类型：SOI（绝缘体上硅）
- 生长方法：其他
- 仪器种类：实验室
- 测定原理：其它
- 测定范围：0.01~5mg/L
- 测定准确度：±1%
- 检出限 ：≤0.005mg/L
- 测定时间：30样品/小时
- 批处理量：不限
产品介绍
产品参数
厚度范围:1um -10um
压电系数:d33~300pm/V
相对介电常数:~200@1kHz
应用场景
MEMS压电传感:芯片级压电风扇等，
湖北省纵恒光电有限责任公司
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