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SiC生长关键核心材料:碳化钽涂层

​摘要:采用碳化钽TaC涂层能够解决晶体边缘缺陷问题,提高晶体生长质量,是“长快、长厚、长大”的核心技术方向之一一、碳化钽涂层特点TaC陶瓷熔点高达3880℃,具有高硬度(莫氏硬度9~10 )、较大的导热系数(22W·m-1·K−1)、较大的抗弯强度(340~400MPa),以及较小的热膨胀系数(6.

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2026-04-14

青岛高泰新材料有限公司

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