3CN型SiC具有更高的电子迁移率（3C-SiC，1100cm2/V∙s；4H-SiC，900cm2/V∙s），同时由于3C-SiC具有更小的禁带宽度，可使器件在氧化层制备上具有更小的FN隧穿电流以及可靠性，能大幅度提高器件产品良率。晶格领域已建成4-6寸液相法碳化硅衬底试验线，6-8寸液相法碳化硅衬底试验线也于2025年完成建设。晶格领域已成功突破4-8英寸p型和4-6寸3C-n型碳化硅单晶生长技术，我司专注于半导体晶体材料的技术研发，致力于在晶体尺寸控制、缺陷密度降低及厚度均匀性等关键指标上实现持续突破。

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产品介绍3CN型SiC具有更高的电子迁移率（3C-SiC，1100cm2/V∙s；4H-SiC，900cm2/V∙s），同时由于3C-SiC具有更小的禁带宽度，可使器件在氧化层制备上具有更小的FN隧穿电流以及可靠性，能大幅度提高器件产品良率。主要指标晶型：3C尺寸：50.8±0.38mm厚度：350±25μm微管密度：＜0.1cm-2电阻率≤0.0006Ω∙cm

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主要指标晶型：4H/6H尺寸：149.5~150mm厚度：350±25μm微管密度：＜0.1cm-2电阻率：0.06~0.11Ω∙cm

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