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核心参数
- 仪器种类：实验室
- 测定原理：其它
- 测定范围：0.01~5mg/L
- 测定准确度：±1%
- 检出限 ：≤0.005mg/L
- 测定时间：30样品/小时
- 批处理量：不限
产品介绍
产品介绍
利用液相法生长的P型碳化硅衬底具有低电阻、高掺杂浓度、高品质等优势，能满足n沟道SiC IGBT、GTO等高压双极型器件的制备需求。
主要指标
晶型：4H/6H 尺寸：50.8±0.38 mm
厚度：350±25μm 微管密度：＜0.1 cm-2
电阻率：0.06~0.11 Ω∙cm
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北京晶格领域半导体有限公司
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