​碳化硅性能优势突出，市场规模快速成长　　碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，当前碳化硅衬底已应用于射频器件及功率器件，随着下游需求爆发，2022-2026 年SiC 器件的市场规模将从43 亿美元提升到89 亿美元，复合增长率为20%，对应的SIC

​2024年5月25-26日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会主办，中国科学院物理研究所承办的碳化硅单晶液相法生长及器件技术专题研讨会在北京成功举行。会议由中科院物理所陈小龙研究员发起并主持，邀请了产业链企业和学界共同探讨液相法技术进展和发展方向，并发布了液相法近期工作成果。天科合达、中车时代