核心参数
- 仪器种类:实验室
- 测定原理:其它
- 测定范围:0.01~5mg/L
- 测定准确度:±1%
- 检出限 :≤0.005mg/L
- 测定时间:30样品/小时
- 批处理量:不限
产品介绍
在石墨外延部件表面沉积SiC涂层,主要解决高温腐蚀与污染(如传统石墨在含氧环境中易氧化粉化),在蚀刻工艺中,SiC涂层抵御Cl2、CF4等腐蚀性气体,保护腔体结构。降低颗粒脱落风险,使零部件寿命提升3-5倍,减少设备维护成本呢。涂层阻隔石墨基体释放杂质(如金属离子、碳颗粒),防止污染外延层,保障SiC外延片缺陷密度<1/cm2(如三角缺陷、位错。
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