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常规C向衬底

常规C向衬底
  • 品牌:晶沐光电
  • 产地:江苏
  • 关注度:1
  • 型号:常规C向衬底
  • 报价:面议
核心参数
  • 仪器种类:实验室
  • 测定原理:其它
  • 测定范围:0.01~5mg/L
  • 测定准确度:±1%
  • 检出限 :≤0.005mg/L
  • 测定时间:30样品/小时
  • 批处理量:不限
产品介绍

介绍:化学式(α-Al2O3),为六方晶格结构。化学性质非常稳定,不溶于水,耐强酸、强碱的腐蚀。莫氏硬度9级,熔点为2050℃,沸点3500℃,最高工作温度可达1900℃。透光性好,热传导性和电气绝缘性,力学机械性能表现优秀,具有耐磨和抗划伤的特点。

应用:LED(氮化镓基LED)、激光二极管(蓝光、紫外)、射频器件(5G通信、雷达)、功率电子器件(电动汽车、工业电源)。

产品规格书

蓝宝石常规C向单晶衬底(1~12英寸)

材料成分

>99.99%,High Purity, Mono-crystalline Al2O3 (KY)

直径

25.4mm

50.8mm

76.2mm

100mm

125mm

150mm

200mm

300mm

厚度

500μm

430μm

500μm

650μm

800μm

1000μm

1200μm

2000μm

端面晶向

C-plane(0001) off-angle toward M-axis(10-10) 0.2 +/- 0.1°

0 ± 0.5°

C-plane(0001) off-angle toward A-axis(11-20) 0 +/- 0.1°

0 ± 0.5°

定位边晶向

A-Plane(11-20) ± 1.0°

定位边长度

8mm

16mm

22mm

30mm

30mm

47.5mm

Notch

Notch

正面状态

Epi-polished,

Ra<0.3nm

Epi-polished,

Ra<0.5nm

反面状态

SSP:Fine-ground,Ra=0.8-1.2um; DSP:Epi-polished,

Ra<0.3nm

DSP:Epi-polished,

Ra<0.5nm

镭刻码面

Back side

N/A

总厚度偏差TTV

≤5μm

≤8μm

≤10μm

≤10μm

≤15μm

≤20μm

≤30μm

≤30μm

弯曲度BOW

≤8μm

≤10μm

≤12μm

≤15μm

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤45μm

翘曲度WARP

≤10μm

≤12μm

≤15μm

≤20μm

≤30μm

≤30μm

≤60μm

≤60μm

边缘去除

≤2 mm

≤3 mm

产品性能表

蓝宝石单晶 Sapphire

晶体结构

六方晶体

禁带宽度(eV)

/

熔点(℃)

2040℃

莫氏硬度(mohs)

9

热导率(W·cm-1·℃-1)

0.46W·cm-1·℃-1

热膨胀系数(℃-1)

6.7*10-6 // C-axis
5.0*10-6 ⊥C-axis

晶格常数(nm)

a=4.76Å c=12.99Å

折射率

1.762~1.777

透过率

测试样品:蓝宝石:直径76.2毫米×厚度4毫米
紫外线:波长200至380纳米,透过率74%至84%
可见光:波长380至760纳米,透过率85%
红外线:波长760至1000纳米,透过率85%
远红外线:波长大于1000纳米,透过率80%至100%


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