介绍：Ⅲ-Ⅴ化合物外延晶片是由元素周期表中Ⅲ族（如Ga、In、Al）和Ⅴ族（如As、P、N）元素组成的半导体材料，通过MOCVD、MBE等技术生长，晶体质量高；高电子迁移率；直接带隙；适合光电器件；可调带隙，适应不同波长需求等特点。

应用：HEMT-高电子迁移率晶体管结构材料；PHEMT-赝配高电子迁移率晶体管结构材料；HALL-霍尔元件砷化镓外延材料；HBT-异质结双极晶体管；PD-光电探测器；APD-雪崩光电二极管；VCSEL-垂直共振腔面发射型激光器结构材料；EE-lasers-边射型激光器结构材料；Photocathode-光电阴极。

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