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斜切角晶向衬底

斜切角晶向衬底
  • 品牌:晶沐光电
  • 产地:江苏
  • 关注度:1
  • 型号:斜切角晶向衬底
  • 报价:面议
核心参数
  • 仪器种类:实验室
  • 测定原理:其它
  • 测定范围:0.01~5mg/L
  • 测定准确度:±1%
  • 检出限 :≤0.005mg/L
  • 测定时间:30样品/小时
  • 批处理量:不限
产品介绍

介绍:化学式(α-Al2O3),为六方晶格结构。化学性质非常稳定,不溶于水,耐强酸、强碱的腐蚀。莫氏硬度9级,熔点为2050℃,沸点3500℃,最高工作温度可达1900℃。透光性好,热传导性和电气绝缘性,力学机械性能表现优秀,具有耐磨和抗划伤的特点。

应用:高质量氮化镓外延生长(减少缺陷,提高晶体质量)、高频电子器件(改善电学性能)

产品规格书

蓝宝石偏角度单晶衬底(2~6英寸)

材料成分

>99.99%,High Purity, Mono-crystalline Al2O3 (KY)

晶向类型C-M

C-axis (0001) off-cut 0.5°~10°  ± 0.1° toward M (1-100)

晶向类型C-A

C-axis (0001) off-cut 0.5°~8° ± 0.1° toward A (11-20)

晶向类型A-M

A-axis (11-20) off-cut 0.5°~6° ± 0.1° toward M (1-100)

晶向类型A-C

A-axis (11-20) off-cut 0.5°~6° ± 0.1° toward C (0001)

晶向类型R-M

R-axis (1-102) off-cut 0.5°~6° ± 0.1° toward M (1-100)

晶向类型R-C

R-axis (1-102) off-cut 0.5°~6° ± 0.1° toward C (0001)

晶向类型M-C

M-axis (1-100) off-cut 0.5°~6° ± 0.1° toward C (0001)

直径

50.8mm

100mm

150mm

厚度

430um

650um

1000um

定位边晶向

A-plane ± 0.3°

定位边长度

16mm

30mm

47.5mm

正面状态

Epi-polished,Ra<0.3nm

反面状态

SSP:Fine-ground,Ra=0.8-1.2um; DSP:Epi-polished,Ra<0.3nm

总厚度偏差TTV

<10 um

<20 um

<25 um

弯曲度BOW

-15~0 um

-25~0 um

-35~0 um

翘曲度WARP

<15 um

<30 um

<40 um

边缘去除

≤2 mm



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