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图形化衬底PSS

图形化衬底PSS
  • 品牌:晶沐光电
  • 产地:江苏
  • 关注度:1
  • 型号:PSS/NPSS
  • 报价:面议
核心参数
  • 仪器种类:实验室
  • 测定原理:其它
  • 测定范围:0.01~5mg/L
  • 测定准确度:±1%
  • 检出限 :≤0.005mg/L
  • 测定时间:30样品/小时
  • 批处理量:不限
产品介绍

介绍:化学式(α-Al2O3),为六方晶格结构。化学性质非常稳定,不溶于水,耐强酸、强碱的腐蚀。莫氏硬度9级,熔点为2050℃,沸点3500℃,最高工作温度可达1900℃。透光性好,热传导性和电气绝缘性,力学机械性能表现优秀,具有耐磨和抗划伤的特点。

应用:PSS增强LED光提取效率,广泛应用于普通照明、背光源及显示领域;NPSS用于高端LED、激光器等精密光学和电子设备,进一步提升性能

产品规格书

图形化PSS蓝宝石衬底晶片(2~6英寸)

直径

50.8mm

100mm

150mm

厚度

430μm

650μm

1000μm

表面晶向

C-plane(0001) off-angle toward M-axis(10-10) 0.2 +/- 0.1°

C-plane(0001) off-angle toward A-axis(11-20) 0 +/- 0.1°

定位边晶向

A-Plane(11-20) ± 1.0°

定位边长度

16mm

30mm

47.5mm

正面状态

Patterned

反面状态

SSP:Fine-ground,Ra=0.8-1.2um; DSP:Epi-polished,Ra<0.3nm

镭刻码面

Back side


图形参数PSS

Shape Structure

Triangle Array

Pattern Height

1.6~1.8μm

Pattern Width

2.70~2.85μm

Pattern distance

2.9~3.1μm

图示PSS


图片1.png


纳米压印图形化NPSS蓝宝石衬底晶片(2~4英寸)

直径

50.8mm

100mm

厚度

430μm

1000μm

650μm

1000μm

表面晶向

C-plane(0001) off-angle toward M-axis(10-10) 0.2 +/- 0.1°

C-plane(0001) off-angle toward A-axis(11-20) 0 +/- 0.1°

定位边晶向

A-Plane(11-20) ± 1.0°

定位边长度

16mm

30mm

正面状态

Patterned

反面状态

SSP:Fine-ground,Ra=0.8-1.2um; DSP:Epi-polished,Ra<0.3nm

镭刻码面

Back side


图形参数NPSS

Shape Structure

Hexagonal Array


Pattern Type

V500

V600

V700

Pattern Diameter

400-550nm

550-650nm

650-750nm

Pattern Height

250-450nm

250-450nm

250-450nm

Pattern Pitch

1000nm

1000nm

1000nm


Pattern Type

V800

V900

∧700

Pattern Diameter

750-850nm

850-950nm

600-800nm

Pattern Height

350-550nm

350-550nm

350-700nm

Pattern Pitch

1000nm

1000nm

1000nm

图示NPSS

图片1(1).png


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