产品规格书

单晶硅衬底（2~12英寸）
直径	50.8mm	76.2mm	100mm	150mm	200mm	300.mm
厚度	400μm	400μm	500μm	625μm	725μm	775μm
表面晶向	<100> ∣ <111> ∣ <110>
生长方式	CZ ∣ FZ
掺杂类型	N-type(Si-doping/As-doping/Sb-doping)		P-type(B-Doping)		undoped
定位边晶向	16mm	22mm	32.5mm	47.5mm	Notch	Notch
电阻率	0.001-0.005ohm-cm		1-100ohm-cm		＞10000ohm-cm
正面状态	Epi-polished,Ra<0.5nm
反面状态	SSP:Etch; DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm
总厚度偏差TTV	≤8μm	≤10μm	≤10μm	≤20μm	≤30μm	≤30μm
弯曲度BOW	≤10μm	≤12μm	≤15μm	≤25μm	≤40μm	≤45μm
翘曲度WARP	≤12μm	≤15μm	≤20μm	≤30μm	≤60μm	≤60μm
边缘去除	≤2 mm				≤3 mm

产品性能表

单晶硅 Si
Growth Method 生长方式	CZ/FZ
Crystal Structure 晶体结构	Diamond
Lattice Constant(nm) 晶格常数	a=5.4305Å
Density(g/cm3) 密度	2.329
Melting point 熔点（℃）	1410℃
Mohs Hardness(mohs) 莫氏硬度	7
Dielectric Constant 介电常数	11.8
Band Gap(eV) 禁带宽度	1.1
Breakdown Electrical Field ((MV/cm)) 击穿电场	0.3
Thermal Conductivity(n-type）(W/cm.K ) 热导率（导电型）	1.48
Electron Mobility(cm2·V-1·s-1) 电子迁移率	1480
热膨胀系数	2.6×10^-6 /℃
折射率	3.5