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核心参数
- 仪器种类：实验室
- 测定原理：其它
- 测定范围：0.01~5mg/L
- 测定准确度：±1%
- 检出限 ：≤0.005mg/L
- 测定时间：30样品/小时
- 批处理量：不限
产品介绍
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硅基氮化镓外延衬底Tempalte（2~8inch） | ||||
衬底直径 | 50.8mm | 100mm | 150mm | 200mm |
硅衬底厚度 | 1000μm | 1000μm | 1000μm | 1150μm |
硅衬底表面 | Polished/Etched | |||
硅衬底晶向 | P(111) | |||
外延导电类型 | N-type | P-type | UID | |
外延掺杂元素 | Si-doping | Mg-doping | Undoped | |
外延层厚度 | ＜5 um | |||
外延层厚度均匀性 | ≤5% | |||
外延层表面 | RMS＜2nm | |||
外延结构图 |
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江阴晶沐光电新材料有限公司
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