- 仪器种类:实验室
- 测定原理:其它
- 测定范围:0.01~5mg/L
- 测定准确度:±1%
- 检出限 :≤0.005mg/L
- 测定时间:30样品/小时
- 批处理量:不限
芯丰精密12英寸超精密晶圆环切设备 UNI-T310 一、产品介绍:UNI-T310是芯丰精密研发的一款高效率、高洁净度的全自动双轴晶圆边缘修边设备,设备采用高刚性龙门结构+复合检测,用于精准解决晶圆减薄时边缘崩边问题,有效提升减薄质量。设备采用稳定可靠的搬运路径,高精度取放片,能有效缩短传片时间。设备采用先进的清洗结构,能实现晶圆高洁净度。设备搭载高分辨率视觉对准及先进的量测系统,可满足高效的当站测量。设备在具备高性能加工的同时,做到了尺寸紧凑、工艺多样、多功能组合配置等优点,能满足存储、先进封装等客户的各项定制需求。产品功能:a.标配功能 Ø 两个Loadpart,支持Foup自动开盖、自动Mapping功能; Ø 可选配E84接口,支持OHT天车系统及AGV上下料; Ø 定位单元能实现找Notch功能; Ø 满足切线或垂直两种入刀方式 Ø 修边工作台具有自动清洗功能,工作台内盘具有自动升降功能; Ø 具有多种非接触式晶圆自动测厚、晶圆四点中心定位、修边高度及宽度自动补偿功能; Ø 具有NCS测高、CCS测高、Blade Dress功能; Ø 具有晶圆修边后搬运保湿、晶圆背面清洗、晶圆正面清洗功能(正面清洗液可选配); Ø 配备高效净化FFU及静电消除器; Ø 配备双通道Chiller(开环+闭环)给Blade及主轴冷却; Ø 配备两套CO2 Injector去除切割及清洗用DIW静电; Ø 可兼容Angle Trim等多种工艺。 Ø 设备切割腔和显微镜部中间安装有水气帘 Ø 具备横向磨刀功能 Ø 具备中空工作盘及台盘清洗功能 Ø SUB INDEX切割功能:具备SUB INDEX切割功能 b.特色拓展功能 Ø 可扩展实现对加工后晶圆的全周品质高速检查。 Ø 可扩展实现对加工后晶圆崩边(chipping)的超高精度识别。 Ø 将CO₂加注装置或臭氧装置内置,以节省设备空间。 Ø 可扩展兼容EMC晶圆粗糙、不规则边缘的识别与修正。 Ø 采用自研高性能切割刀片,兼容难加工的复杂边缘结构,实现高品质、高产出切割。 Ø 提供小角度Angle trim Ø 可扩展实现晶圆厚度精准测量及边缘对准识别。二、工作流程① ROBOT从Foup中取片放入PT定位单元找Notch; ② T1机械手从PT上夹取wafer并调整wafer中心,放在CT上; ③ CT吸住晶圆在Y轴驱动下运动至NSD检测工位测量wafer厚度,Blade进行NCS+Dress+CCS修刀与检测; ④ CT吸住晶圆在Y轴驱动下运动至修边工位,Z1/Z2/ θ/X1/X2联动,修边; ⑤ CT吸住晶圆在Y轴驱动下运动至取放片工位,T2机械手夹取晶圆传送至BC单元,毛刷进行wafer背面清洗; ⑥ T3机械手夹取wafer传送至ST单元,DIO3/DIW/二流体进行wafer清洗及甩干; ROBOT从ST单元取片送回至Foup。三、工艺指标切割材质:Si,Sic, Li₂CO₃,Glass,compound等单一材质或复合材质的环切 *Cutting width:针对SI Dummy Wafer 切割宽度的不同0-1400um Cutting Width ±30um内 *Cutting depth:针对SI Dummy Wafer切割深度的不同,可控制深度范围在2-10um内 *切割品质:wafer无明显chipping; wafer无明显的材料切削碎屑残留 *Particle要求:跟据应用场景和环境可控制0.2um的particle在20-50ea之间 *WPH:根据切割深度及宽度的不同,最大WPH为14pcs
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