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核心参数
- 仪器种类：实验室
- 测定原理：其它
- 测定范围：0.01~5mg/L
- 测定准确度：±1%
- 检出限 ：≤0.005mg/L
- 测定时间：30样品/小时
- 批处理量：不限
产品介绍
一．产品概述
VGF是目前国际上生长GaAs和InP等化合物半导体单晶的主流技术。
VGF坩埚为垂直梯度凝固法（VGF）生长化合物单晶的容器。
二．产品特点
纯度高达99.999%
与熔融金属不润湿
热导率可控，有效提高成晶率
优异的抗热震性
易清洗，可重复使用
化学惰性，在高温下与酸、碱不发生化学反应
北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司
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