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SiC晶片宏观缺陷检测设备

SiC晶片宏观缺陷检测设备
  • 品牌:
  • 产地:河南
  • 关注度:18
  • 型号:CSU030
  • 报价:面议
核心参数
  • 仪器种类:实验室
  • 测定原理:其它
  • 测定范围:0.01~5mg/L
  • 测定准确度:±1%
  • 检出限 :≤0.005mg/L
  • 测定时间:30样品/小时
  • 批处理量:不限
产品介绍

CSUO30设备为中科慧远针对SiC晶片制程过程中外观类缺陷进行宏观检测的缺陷检测设备。该设备运用机器视觉的原理,结合自研的AI算法平台可实现各类缺陷的检测和分类。设备适用于划伤类、崩边、包裹、脏污等人眼可见缺陷的检测,并能够区分正反面的划伤,以定义不同的管控规格。

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