碳化硼（B₄C）是一种非常重要的高性能陶瓷材料。它由硼和碳元素组成，硬度仅次于金刚石和立方氮化硼。特性高纯度与致密性:CVD工艺精准控制成分与结构，使得热解碳化硼在纯度和致密性上远超传统烧结/热压成型的碳化硼。优异的力学性能：是自然界中除金刚石、立方氮化硼（CBN）外最硬的材料之一，CVD热解工艺进一步优化了其微观结构（如细晶、无缺陷），使其力学性能更突出。卓越的耐高温与热稳定性：其稳定的晶体结构（三方晶系）和致密的微观形态，可耐受极端高温环境。优异的化学惰性：化学稳定性极强，对多数强酸、强碱、熔融金属和腐蚀性气体具有优异的抵抗能力。应用领域解决方案等离子刻蚀设备：替代等离子刻蚀机中碳化硅刻蚀

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陶瓷复合加热器是在化学气相沉积技术的基础上，以热解氮化硼(PBN)为绝缘体，热解石墨(PG)为导电发热体，利用热解氮化硼和热解石墨的特性延伸开发的新型加热器。特性化学稳定性佳：耐酸碱盐腐蚀，高温不与熔融金属、半导体发生浸润反应成型灵活：可加工管状、杯状等异形结构温控性能优：升温迅速、抗热冲击，耐快速温变，加热面温度均匀高纯低放气：CVD制备纯度高，高温出气少，适配超高真空工况应用领域解决方案OLED蒸镀：OLED面板生产基底加热，均匀控温保护有机发光材料。薄膜太阳能：CIGS电池制程基底预热与温控，改善结晶、提升光电转换率。MBE分子束外延：超高真空下衬底加温，实现半导体薄膜外延生长。晶圆热处

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SiC涂层为采用化学气相沉积工艺制备的薄层材料。相较于单晶硅，碳化硅击穿电场强度可达硅的10倍、禁带宽度为硅的3倍，兼具耐高温、耐化学腐蚀、高耐磨与优异导热性能特性良好的导热性涂层厚度均匀、平整度高耐腐蚀热膨胀系数与石墨匹配性佳，结合力强应用领域解决方案硅外延衬底：提供低缺陷、高导热支撑平台，保障外延层均匀生长并有效散热。单晶硅制造设备部件：用于坩埚内衬、导流与保温结构，耐高温耐腐蚀，防止硅液污染。MOCVD衬底：用于GaN等外延生长基底，影响外延层质量与性能。加热器部件：用于高温加热系统，提供均匀稳定热源。散热片：用于快速导热散热，控制设备温度稳定。抗氧化组件：用于高温氧化环境防护，减少部件

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