SiC 涂层为采用化学气相沉积工艺制备的薄层材料。相较于单晶硅，碳化硅击穿电场强度可达硅的 10 倍、禁带宽度为硅的 3 倍，兼具耐高温、耐化学腐蚀、高耐磨与优异导热性能

特性

良好的导热性
涂层厚度均匀、平整度高
耐腐蚀
热膨胀系数与石墨匹配性佳，结合力强

应用领域解决方案

硅外延衬底：提供低缺陷、高导热支撑平台，保障外延层均匀生长并有效散热。

单晶硅制造设备部件：用于坩埚内衬、导流与保温结构，耐高温耐腐蚀，防止硅液污染。

MOCVD 衬底：用于 GaN 等外延生长基底，影响外延层质量与性能。

加热器部件：用于高温加热系统，提供均匀稳定热源。

散热片：用于快速导热散热，控制设备温度稳定。

抗氧化组件：用于高温氧化环境防护，减少部件氧化损耗。