近日，工业和信息化部和国家发展改革委联合印发《电子信息制造业发展“十五五”规划》（以下简称《规划》）。

《规划》明确，到2030年，我国电子信息制造业高质量发展取得显著成效，在全球产业格局中发挥举足轻重作用。电子信息制造业在工业中的重要地位进一步凸显，规模以上企业营业收入突破30万亿元。产业链安全水平显著提升，在集成电路、先进计算、消费电子、基础电子、能源电子等领域涌现一批长板技术和产品，形成具有竞争力的世界一流企业。

发展大尺寸晶片

半导体晶片是芯片制造的基底材料，晶片尺寸升级是降低单片器件成本、提升晶圆产出效率的核心路径，也是化合物半导体产业规模化发展的核心瓶颈。如磷化铟晶圆广泛用于高速光通信芯片、射频器件、红外探测器，但6英寸磷化铟晶圆仍处于追赶阶段，良率、一致性有待持续优化；碳化硅领域，国内12英寸碳化硅衬底进入产业化攻坚期，大尺寸衬底的缺陷控制、翘曲度管控难度远高于6英寸、8英寸产品，是新能源汽车功率器件产业扩产的关键卡点。整体来看，大尺寸晶片的衬底制备、外延加工能力，直接决定我国射频、功率、光电子器件产业链自主可控水平。

在重点任务“促进电子元器件和电子材料高端化发展”部分，《规划》明确提出，发展大尺寸晶片等半导体材料，低成本高性能磁性材料，高可靠电子陶瓷材料，超小尺寸压电晶体材料，高容量、高性能电池材料等。

推动光子产业核心环节技术取得突破

光子技术凭借高速、低时延、大带宽、低功耗的天然优势，成为算力网络、新一代通信、感知探测领域的底层支撑技术。当前全球算力需求爆发式增长，光电共封装、硅基光电子等技术逐步落地，光芯片作为光子系统核心，高端产品长期存在供给短板。国内光子产业在设计软件、高端光刻、异质集成工艺等环节仍存在卡点，分立光器件基础较好，但在光电协同设计、多材料集成、光子芯片规模化制造方面与国际领先水平存在差距。光子技术应用场景持续拓宽，除传统光通信外，AI算力、激光雷达、医疗成像、工业检测等新兴领域拉动光芯片、微纳光学元件需求快速增长，亟需搭建共性工艺平台打通从设计、流片到中试的全链条。

在重点任务“夯实光子产业发展根基”部分，《规划》明确提出，推动光子产业核心环节技术取得突破，支持光子设计自动化、光电协同设计自动化等仿真设计软件研发迭代，建设微纳加工制造、光电融合集成等共性工艺平台，布局光子功能材料、工艺材料研发创新，强化光产生、光处理、光传感、集成光芯片和微纳光学元件供给，开展光收发模块与引擎、光处理模块、激光雷达和陀螺仪、配套电芯片器件的研发与产业化。

制造工艺平台方面，提出推动6英寸及以上化合物半导体、8英寸及以上光微机电系统、12英寸及以上微纳光学超结构表面等制造工艺平台建设。

光电融合集成工艺平台方面，提出重点提升8英寸及以上硅基光电子低成本规模量产和多材料体系异质集成能力，突破12英寸先进制程的多维异构集成关键技术，推动光电融合集成平台建设。

光芯片与器件方面，提出重点发展大带宽、窄线宽、高功率激光器，高功率太赫兹光源，光通信用高速互补金属氧化物半导体（CMOS）异构集成微发光二极管阵列器件，超快激光器、多端口光电路交换器件、高维度波长选择开关、多波段一体化光放大器、大带宽探测器、单光子探测器、光纤传感器、红外紫外及太赫兹探测器、超快三代像增强器、光电共封装芯片。

推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展

超宽禁带半导体材料拥有更宽的禁带宽度、更高击穿电场、高热导率，是下一代高压功率器件、深紫外光电器件、高温辐射环境电子器件的核心材料。氧化镓具备低成本制备大尺寸衬底的潜力，在高压电力电子、新能源、轨道交通领域前景广阔；金刚石材料拥有极致的热导率，在高功率射频器件、散热、量子器件领域具备颠覆性潜力，但单晶金刚石大面积制备、掺杂工艺难度极高，产业化尚处于早期阶段。当前全球都在加速布局超宽禁带赛道，国内需要加快材料、器件、装备协同攻关，抢占下一代功率半导体产业先机。

“推动集成电路全链条攻关”章节，《规划》明确提出，推动宽禁带半导体产业提质升级，推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展。持续提升关键装备、材料和零部件供给能力，加快发展电子设计自动化工具（EDA）和知识产权核（IP核），推进三维集成等技术突破和应用。

小结

本次《电子信息制造业发展“十五五”规划》将化合物半导体、光芯片、大尺寸晶片、超宽禁带半导体等方向列为重点任务，清晰锚定了我国电子信息制造业未来五年核心攻坚赛道。《规划》兼顾材料、工艺平台、核心器件、设计软件等全链条布局，不再局限单一芯片产品攻关，重点补齐光子产业、第三代/超宽禁带半导体的共性制造、中试验证短板。

从产业逻辑看，光子产业承接AI算力与高速通信需求，化合物半导体支撑射频与光芯片，氧化镓、金刚石打开功率半导体新空间，多条技术路线协同发力，共同夯实集成电路与电子元器件自主根基。政策导向下，产学研用资源将加速向大尺寸晶圆、光电融合集成、高端光器件、超宽禁带材料倾斜，有望带动一批底层技术与产品实现从实验室走向规模化落地。

整体而言，《规划》为产业链企业指明方向，未来五年既是补短板的攻坚期，也是国产新材料、新型半导体器件抢占市场机遇的关键窗口期。

参考来源：工信部

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