8月31日，住友化学正式宣布，位于茨城县日立市的茨城工厂完成4英寸磷化铟（InP）外延片量产产线建设，开启产品对外销售，成为日本国内少数具备InP外延片稳定量产能力的企业。

同时，该公司制定了明确的销售目标：在2030年代中期实现该产品集群百亿日元规模营收。

InP外延片是什么？

当前，生成AI快速普及，带动云计算、物联网业务爆发，AI数据中心的数据处理量持续攀升。传统电信号互联方案逐渐遭遇功耗与带宽瓶颈，海量数据交换带来的高能耗已经成为全球算力基础设施亟待破解的难题。

在此背景下，光电融合技术被视作破局关键。该技术将芯片与机房内的电信号传输替换为光信号，把电路与光路集成一体，在降低功耗的同时实现高速大容量数据通信，是下一代数据中心的核心技术方向。

而能够实现高速、低损耗、长距离光电转换的核心材料，就是InP外延片。它是800G/1.6T高速光模块、下一代CPO共封装光学技术的核心底座，几乎所有高端通信激光器、光探测器，都离不开InP外延材料。

InP外延片是通过MOCVD（金属有机气相沉积）/MBE分子束外延设备，在InP衬底表面原子层级，逐层生长几十层极薄的半导体薄膜晶圆片。从工艺来讲，InP外延片制造工艺门槛极高，需要先进的技术来精确控制高温外延生长过程中的材料成分和表面条件。此外，整个制造过程，包括原料气体的处理，都需要先进的过程管理，以确保稳定的运行和质量，全球可稳定供货的厂商数量有限。

目前包括衬底、外延片在内的整个InP市场是公认的蓝海市场，市场需求逐年扩大，且增长速度惊人。但同时InP行业也是产能紧缺，供给严重不足的行业。甚至有产业界人士直言“当前磷化铟产能不足，才是CPO乃至整个高速光通信产品的核心卡点。”

住友化学：25年的外延片量产技术

住友化学依托超过25年砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）外延片量产积累的技术储备，整合组分精准控制、薄膜堆叠、晶体生长工艺等自研技术，攻克了InP外延量产难点，实现高良率、高品质产品落地。

量产的4英寸InP外延片拥有均匀的晶体结构、稳定的量产重现性以及一致的薄膜厚度，兼顾产品品质与生产效率，补齐企业化合物半导体产品矩阵，在原有GaN衬底、GaN外延片、GaAs外延片基础上新增InP外延晶圆。

住友化学砷化镓外延片

近些年来，住友化学将ICT与移动解决方案业务定位为增长引擎，半导体材料是其重点布局发展板块。随着InP外延片推向市场，标志住友化学搭建起了支撑光电融合技术普及的上游材料供应体系，将加速面向AI数据中心、高速网络市场的业务拓展。

从产业层面看，AI算力集群不断扩容，高速光模块迭代加速，上游InP外延、衬底材料的供给能力直接制约下游光芯片产业发展。住友化学4英寸InP外延片的商业化，将为全球光电融合产业链补充一部分上游产能。

参考来源：住友化学

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