全站

  • 全站
  • 资讯
  • 产品
  • 厂商
×

*产品类别

*产品需求

*联系人

*单位名称

*手机号

*短信验证码

获取验证码

*图形验证码

提交
点击提交代表您同意 《用户服务协议》及《隐私协议》

当前位置:

资讯 >
新突破!天津理工大学攻克磷化铟新型VB法工艺!成品率从10%提高到50%以上
新突破!天津理工大学攻克磷化铟新型VB法工艺!成品率从10%提高到50%以上
半导体在线山川2026/09/21 10:31
阅读:112

手机扫码查看
导读: 磷化铟新工艺突破!

据天津日报消息,天津理工大学功能晶体研究院在磷化铟(InP)单晶制备方面取得技术突破,并已经开启了实验室成果产业化落地阶段。



磷化铟是高速光通信领域的重要半导体材料,广泛应用于高速激光器、光电探测器、光模块等器件,是800G、1.6T乃至未来更高速率光互连的重要材料基础。随着AI大模型训练带动数据中心算力持续增长,高速光模块需求快速提升,磷化铟材料市场也迎来新的发展机遇。


磷化铟单晶新型VB法制备技术


据了解,天津理工大学此次突破的磷化铟单晶制备技术为新型VB法。


VB法的全称是垂直布里奇曼法,也称坩埚下降法,日本住友电气称为垂直舟法。


该方法是一种通过移动坩埚或加热炉实现晶体生长的技术,其生长装置主要由石英坩埚、加热炉和移动装置组成。在VB法中,晶体生长通过利用温度梯度使熔体从一端向另一端逐渐凝固来实现。


VB技术示意图


具体生长过程包括以下几个步骤:首先,将高纯度的铟和磷原料放入石英坩埚中,加热至磷化铟的熔点以上;接着,在坩埚底部放置籽晶,通过移动坩埚或加热炉,使熔体从底部向上逐渐凝固;最后,通过控制温度梯度和冷却速率,实现单晶的稳定生长。


该技术的优点是设备较简单,可采用较小的温度梯度,便于进行挥发性组元(如As,P等)的蒸气压控制,晶体表面不离解,所生长晶体位错密度较低。且在生长过程中操作人员劳动强度小,可同时对多台生长系统进行控制。


但同时这项技术也有明显的缺点:对生长过程不便实时观察,要经多次试验才能得到稳定的生长条件,否则,工艺重复性较差,成品率低。此外,晶体纯度在很大程度上依赖坩埚的材质,虽然后来用pBN坩埚取代了石英坩埚,晶体纯度得到了一定的改善,但是晶体表面存在坑洼等现象一直没有得到有效的解决,这些因素使得VGF/VB技术的成晶率比较低,在一定程度上反而增加了成本。


对此,天津理工大学功能晶体研究院的研究人员对此方法进行了升级优化。


“光靠眼睛看不行,炉子里边温度高、完全封闭,就是一个看不见的‘黑匣子’。”天津理工大学功能晶体研究院副院长徐永宽说,他们给这个“黑匣子”装上了“透视眼”——通过计算机仿真复现晶体生长全过程,让物理机制变得“清晰可见”;构建“虚拟实验室”,将不可控的缺陷变得“精准可控”。


天津理工大学功能晶体研究院副院长徐永宽介绍晶体实验设备,摄影|张立


据徐院长介绍,他们团队开发出的这种全新的晶体生长方法,可以使磷化铟的成品率从当前行业的10%提高到50%以上。


开启产业化


据了解,天津理工大学功能晶体研究院已经与滨海高新区签署共建“功能晶体材料成果产业化基地”的战略协议,正式开启了实验室成果产业化落地阶段。


当前,该基地已明确两个重点产业化方向:


6英寸磷化铟单晶项目:面向AI算力基础设施中高速光模块的核心材料需求,正与行业龙头企业开展技术对接。


12英寸碳化硅单晶项目:专用于AR眼镜光波导及AI芯片散热封装,计划于2026年内实现小批量供货。


目前,项目运营主体——天津宽晶半导体科技有限公司已完成工商注册,公司由天津理工大学功能晶体研究院孵化设立,承担科研成果转化和产业化运营任务。


小结


在AI算力竞赛时代,磷化铟已经跳出了小众材料的范畴,成为了高速光互连的战略基石。受需求激增、技术壁垒高、扩产周期长等各方面因素影响,目前全球磷化铟陷入极度短缺局面。


若此次天津理工大学相关技术最终实现稳定量产,不仅有望提升磷化铟单晶的生产效率与良率,降低大尺寸磷化铟材料的产业化门槛,更为国内高速光通信产业提供更加稳定的上游材料支撑。


参考来源:天津日报、粉体网


注:图片非商业用途,存在侵权告知删


会展