*更加详细的产品信息欢迎咨询营销团队>联系我们基本信息8英寸直径200.0mm+0mm/-0.5mm表面取向{0001}±0.2°主参考面取向/副参考面取向/主参考边长度Notch副参考边长度无参考副边Notch边取向<1100>±1.0°Notch边深度距边1.0mm+0.25mm/-0.00mmNotch边角度90°+5°/-1°厚度500.0um士25.0um导电类型半绝缘微波射频器件通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成HEMT等微波射频器件，应用于信息通讯、无线电探测等领域。

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半绝缘型SiC衬底具有较高的电阻率,常用于氮化镓异质外延、以HEMT为代表的射频器件兼备了碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势,广泛应用于5G基站等新一代通信领域。半绝缘型碳化硅衬底材料还具备优良的光学性能,12英寸衬底在AR眼镜等光学和穿戴电子领域有着广阔的应用前景。*更加详细的产品信息欢迎咨询营销团队>联系我们基本信息6英寸直径150.0mm+0mm/-0.2mm表面取向{0001}±0.2°主参考面取向/副参考面取向/主参考边长度Notch副参考边长度无参考副边Notch边取向<1100>±1.0°Notch边深度距边1.0mm+0.25mm/-0

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基本信息8英寸直径200.0mm+0mm/-0.5mm表面取向4°偏向±0.5°主参考边长度Notch主参考面取向/Notch取向<1100>士1.0°Notch角度90°+5°/-1°Notch深度距边1mm+0.25mm/-0mm副参考边无厚度500.0um士25.0um晶型4H导电类型n-type电力电子器件通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层，制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件，应用在新能源汽车，轨道交通以及大功率输电变电等领域。

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