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4H 导电型 SiC单晶衬底

4H 导电型 SiC单晶衬底
  • 品牌:SICC
  • 产地:山东
  • 关注度:16
  • 型号:6英寸
  • 报价:面议
核心参数
  • 仪器种类:实验室
  • 测定原理:其它
  • 测定范围:0.01~5mg/L
  • 测定准确度:±1%
  • 检出限 :≤0.005mg/L
  • 测定时间:30样品/小时
  • 批处理量:不限
产品介绍

基本信息

6英寸

  • 直径150.0mm+0mm/-0.2mm

  • 表面取向4°偏向±0.5°

  • 主参考边长度47.5 mm ±1.5 mm

  • 主参考面取向<1120>士1.0°

  • Notch取向/

  • Notch角度/

  • Notch深度/

  • 副参考边

  • 厚度350.0um士25.0um

  • 晶型4H

  • 导电类型n-type


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