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4H 半绝缘型 SiC单晶衬底8英寸

4H 半绝缘型 SiC单晶衬底8英寸
  • 品牌:SICC
  • 产地:山东
  • 关注度:17
  • 型号:4H 半绝缘型 8英寸
  • 报价:面议
核心参数
  • 仪器种类:实验室
  • 测定原理:其它
  • 测定范围:0.01~5mg/L
  • 测定准确度:±1%
  • 检出限 :≤0.005mg/L
  • 测定时间:30样品/小时
  • 批处理量:不限
产品介绍


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基本信息

8英寸

  • 直径200.0mm+0mm/-0.5mm

  • 表面取向{0001}±0.2°

  • 主参考面取向/

  • 副参考面取向/

  • 主参考边长度Notch

  • 副参考边长度无参考副边

  • Notch边取向<1100>±1.0°

  • Notch边深度距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm

  • Notch边角度90°+5°/-1°

  • 厚度500.0um士25.0um

  • 导电类型半绝缘




微波射频器件


通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,制得碳化硅基氮化镓外延片,可进一步制成HEMT等微波射频器件,应用于信息通讯、无线电探测等领域。



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