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4H 导电型 SiC单晶衬底 8英寸

4H 导电型 SiC单晶衬底 8英寸
  • 品牌:SICC
  • 产地:山东
  • 关注度:20
  • 型号:8英寸
  • 报价:面议
核心参数
  • 仪器种类:实验室
  • 测定原理:其它
  • 测定范围:0.01~5mg/L
  • 测定准确度:±1%
  • 检出限 :≤0.005mg/L
  • 测定时间:30样品/小时
  • 批处理量:不限
产品介绍

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基本信息

8英寸

  • 直径200.0mm+0mm/-0.5mm

  • 表面取向4°偏向±0.5°

  • 主参考边长度Notch

  • 主参考面取向/

  • Notch取向<1100>士1.0°

  • Notch角度90°+5°/-1°

  • Notch深度距边1mm+0.25mm/-0mm

  • 副参考边

  • 厚度500.0um士25.0um

  • 晶型4H

  • 导电类型n-type



电力电子器件

通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层,制得碳化硅同质外延片,可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件,应用在新能源汽车,轨道交通以及大功率输电变电等领域。


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