半绝缘型SiC衬底具有较高的电阻率,常用于氮化镓异质外延、以HEMT为代表的射频器件兼备了碳化硅
良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势,广泛应用于5G基站等新一代通信领域。
半绝缘型碳化硅衬底材料还具备优良的光学性能,12英寸衬底在AR眼镜等光学和穿戴电子领域有着广阔的应用前景。

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基本信息

6英寸

• 直径150.0mm+0mm/-0.2mm

• 表面取向{0001}±0.2°

• 主参考面取向/

• 副参考面取向/

• 主参考边长度Notch

• 副参考边长度无参考副边

• Notch边取向<1100>±1.0°

• Notch边深度距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm

• Notch边角度90°+5°/-1°

• 厚度500.0um士25.0um

• 导电类型半绝缘