核心参数
- 仪器种类:实验室
- 测定原理:其它
- 测定范围:0.01~5mg/L
- 测定准确度:±1%
- 检出限 :≤0.005mg/L
- 测定时间:30样品/小时
- 批处理量:不限
产品介绍
适用于 GaN 衬底及多种衬底(蓝宝石、Si、SiC、GaN)GaN 外延片的缺陷检测。系统集成 DIC 明场、激光散射暗场及激光 PL 多通道检测,并结合 AI 自动缺陷识别与分类算法,最小可检测缺陷尺寸达 60 nm
可以检测的缺陷类型:Particle, Pit, Bump, Hex, Crack, Crescent, PL Black, PL White 等
适配多材质 GaN 衬底的外延缺陷检测,适用场景广泛
支持 Particle、Crack 等多类 GaN 相关缺陷识别,满足 GaN 器件制造的品质管控
多通道检测 + AI 算法结合,保障缺陷检测的效率与准确性
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