核心参数
- 仪器种类:实验室
- 测定原理:其它
- 测定范围:0.01~5mg/L
- 测定准确度:±1%
- 检出限 :≤0.005mg/L
- 测定时间:30样品/小时
- 批处理量:不限
产品介绍
用作碳化硅衬底加工制程和碳化硅外延片的宏观缺陷检测,正、背面均配置镜头,实现原位同步检测,并配备多种打光方式,可同时识别多种缺陷
SiC衬底片:能精准测量脏污、微管、裂纹、多晶、多型、深划痕、崩边崩角、六方孔洞、白斑、包裹物等宏观缺陷
SiC外延片:可准确测量脏污、裂纹、多晶、多型、刮伤、磨痕、边缘碳化、边缘沉积、发雾、盘印、崩边崩角、六方孔洞、黑斑黑点等宏观缺陷
智能分类算法:搭载深度学习系统与神经网络算法,能够对缺陷类别进行精准分类
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