近日，云南锗业接受多家机构调研，就磷化铟业务的产能建设、技术良率、客户拓展、核心原材料保障等核心问题作出详细解答。作为国内磷化铟衬底重要的本土供给力量，公司子公司鑫耀半导体已经实现批量化供货，在行业供需紧张的大背景下持续推进产能扩张，助力国内高速光芯片上游材料国产化进程。

一、磷化铟行业：AI算力驱动需求爆发，上游高纯原料成为产业链关键卡点

磷化铟属于Ⅲ-V族化合物半导体衬底材料，是800G、1.6T高速光模块内部EML激光器、CW光源、APD探测器芯片不可替代的基底材料，广泛应用于AI数据中心光互联、电信通信、激光雷达等领域，暂无成熟量产替代方案。

需求端，AI算力集群建设成为行业最大驱动力。单台AI服务器光模块用量远高于普通服务器，伴随光模块从800G向1.6T、3.2T迭代升级，单模块对磷化铟衬底的消耗成倍提升，当前全球超过80%磷化铟需求来自数据中心高速光互联市场，行业需求保持高速增长。

供给端，全球磷化铟衬底市场长期被海外厂商寡头垄断，日本住友电工、美国AXT、JX日矿日石金属三家企业占据全球绝大多数产能，大尺寸6英寸高端衬底壁垒尤其突出。磷化铟产线建设周期长，单晶良率爬坡、下游客户认证均需要较长周期，新进入者很难快速释放有效产能，全球市场呈现明显供需缺口，国内本土供给缺口显著，国产化替代空间广阔。

产业链上游看，高纯铟、高纯红磷是制备磷化铟多晶、单晶衬底的两大核心基础原料。我国拥有全球主要铟资源，粗铟供给充足，但达到半导体级的超高纯铟提纯存在技术门槛；而7N级高纯红磷此前长期被海外企业垄断，一度出现供给收紧的行业风险，近几年国内厂商逐步实现技术突破与量产落地，正在推进国产供应链验证导入。上游原料的稳定供应，直接决定磷化铟衬底企业扩产落地能力。近期受需求拉动，磷化铟晶片市场价格有所上行，但行业未来供需与价格变化仍存在较大不确定性。

二、业务现状：已实现批量供货，良率达国内领先水平

公司磷化铟业务由控股子公司云南鑫耀半导体材料承担，经过多年研发积累，已经实现磷化铟晶片批量化向下游客户供货，产品良率达到国内领先、国际先进水平，产品面向外延厂商、具备外延能力的光芯片器件厂商供货。

化合物半导体衬底存在严苛的客户认证门槛，行业认证周期普遍为数个月至一年甚至更久。调研披露，目前公司磷化铟产品认证已经基本覆盖国内下游知名厂商，同时积极开拓境外客户资源，持续拓宽市场版图。

面对上游原材料价格波动，原料涨价对磷化铟生产成本带来一定压力。公司依托市场化定价机制，与下游客户积极协商调整产品售价，成本传导整体较为顺畅。

三、核心原材料：高纯红磷、高纯铟全部外购，以国内供应商为主

调研重点问询了磷化铟生产最关键的两大原料高纯红磷、高纯铟的来源问题。公司明确，鑫耀半导体生产磷化铟晶片所需要的高纯红磷、高纯铟均为外部采购，公司并不自产这两类原料，目前供应商以国内厂商为主，当前采购通畅，能够匹配现阶段生产需求。

行业层面，过去高纯红磷高度依赖海外供应，存在供应链风险；国内经过技术攻关，已逐步实现半导体级高纯红磷量产，为衬底企业提供本土供应选项。公司表示，将持续维护与上游供应商的合作关系，结合订单计划、原材料市场行情动态统筹采购、提前备货，同时积极深化与上游的合作，保障扩产之后原料的持续稳定供给。

四、未来总产能将提升至45万片（折合4英寸）

产能方面，截至2025年末，公司磷化铟晶片现有产能15万片/年（2‑4英寸）；2025年实际生产磷化铟晶片10.01万片，2026年计划生产18万片，产品规格以3-4英寸为主，同时布局6英寸高端产品。

2026年4月，子公司鑫耀半导体启动高品质磷化铟单晶片建设项目，项目总投资1.89亿元，计划建设期18个月，扩建年产30万片（折合4英寸，含6000片6英寸）生产线。项目全部建成后，公司磷化铟总产能将达到45万片（折合4英寸），产能规模实现大幅跃升，项目正按计划推进，产能将随建设进度逐步释放。公司表示将持续跟踪行业需求变化，若后续规划进一步扩产，将按照监管要求及时对外披露。

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