应用领域：主要用于2/4inchPVT法氮化铝单晶生长及原料提纯。产品描述参数项目技术指标设别型号ANET600设备尺寸3000x2100x2800mm长晶方法PVT适用衬底尺寸2/4英寸最高使用温度2400℃加热方式加热真空系统极限真空5x10-4Pa，压升率≤10Pa/12h气路系统气体类型：Ar、N2、H2发展历程公司持续创新，业务范围不断延伸，向我们的愿景迈进!2025总部生产及研发中心项目正式投入使用2024迭代产品技术，拓展产品序列2023公司首次公开发行股票并在上交所科创板上市2022公司在科创板IPO首发过会2021首台12英寸半导体级单晶硅炉获得海外客户订单，公司引进多家知名

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产品描述参数项目技术指标设备尺寸1356x2400x3360mm合成重量20-30Kg最高使用温度2400℃加热方式感应加热真空系统极限真空5x10-4Pa，压升率≤5Pa/12h气路系统气体类型：Ar、N₂、H₂等

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产品描述参数项目技术指标设备型号SCRP1200设备尺寸2600x2600x4400mm长晶方法PVT适用衬底尺寸8英寸最高使用温度2400℃真空系统极限真空5x10-4Pa，压升率≤5Pa/12h气路系统气体类型：Ar、N₂、H₂等公司的核心管理和技术研发团队有多年的半导体国际行业背景，在行业内拥有超过20年的经验，区别于传统设备商，有丰富的热场设计和工艺开发经验，能配合客户提升产品开发的速度和品质，并且可以针对性的进行设备定制化开发。公司高度重视人才培养和研发团队建设，不断吸引优秀人才，壮大研发团队，组成了相对独立的研发团队，实现了人才、产品及技术研发等高效运行，使公司能够快速响应不断变化

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