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核心参数
- 仪器种类：实验室
- 测定原理：其它
- 测定范围：0.01~5mg/L
- 测定准确度：±1%
- 检出限 ：≤0.005mg/L
- 测定时间：30样品/小时
- 批处理量：不限
产品介绍
应用领域：主要应用于8英寸硅片制造。
产品描述
设备型号 | 半导体级硅单晶炉 SCG200MCZ |
参数项目 | 技术指标 |
设备尺寸 | 7500x5500x11100mm |
设备重量 | ≈36t |
极限真空 | ＜1Pa |
加热方式 | 电阻加热 |
控温范围 | 900~1600℃ |
晶体尺寸 | 8英寸 |
长晶方法 | MCZ |
腔室冷却方式 | 水冷 |
工艺气体类型 | Ar、N2 |
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南京晶升装备股份有限公司
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