随着AI大模型训练对数据吞吐量的快速增高，1.6T光模块刚刚步入商用起步期，3.2T甚至更高带宽的预研已悄然拉开帷幕。在这场关乎未来算力版图的竞赛中，光电共封装（CPO）技术被寄予厚望。然而，决定CPO性能上限的关键——电光调制器，正面临一场严峻的“物理瓶颈”危机。

电光调制器被誉为光通信系统的“心脏”，负责将计算机能处理的电信号转换为光纤中传输的光信号。长期以来，硅基调制器和铌酸锂（LiNbO₃）调制器占据市场主流。硅基方案胜在集成度高，但功耗和带宽难以兼顾；铌酸锂方案虽性能优异，却受限于材料本身特性与CMOS工艺的兼容性。经过数十年的工艺迭代，这两类材料的电光系数提升空间已逐渐见顶，器件功耗也难以进一步压缩。在通往3.2T的路上，如果找不到电光转换效率更高的新材料，整个产业的发展速度将被迫降速。

在国家2035科技发展战略的指引下，研发具有变革型高电光系数的新型材料，已成为破解集成电路领域“卡脖子”难题、实现自主可控的关键一环。理想的替代材料需要具备极高的电光系数（意味着更低的驱动电压和功耗）、良好的CMOS工艺兼容性，以及优异的稳定性。正是在这样的背景下，锆钛酸铅（PZT）薄膜材料进入了产业界的前沿视野。

8月12日，中粉会展将在江苏苏州举办2026光电共封装技术与硅光芯片产业研讨会。届时，来自湖北省纵恒光电有限责任公司的江华总经理将带来题为《CPO中的新型硅基PZT电光薄膜晶圆及高速电光调制器》的重磅报告。

江华总经理将以电光调制器基础材料PZT为切入点，介绍制备高电光系数的电光薄膜晶圆，比铌酸锂高出一个数量级，为1.6T、3.2T光模块研发提供崭新思路。

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