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碳化硅单晶炉SCRP1200系列电阻加热PVT

碳化硅单晶炉SCRP1200系列电阻加热PVT
  • 品牌:CGEE
  • 产地:南京
  • 关注度:21
  • 型号:SCRP1200系列
  • 报价:面议
核心参数
  • 仪器种类:实验室
  • 测定原理:其它
  • 测定范围:0.01~5mg/L
  • 测定准确度:±1%
  • 检出限 :≤0.005mg/L
  • 测定时间:30样品/小时
  • 批处理量:不限
产品介绍

4hpicl.jpg产品描述

参数项目

技术指标

设备型号

SCRP1200

设备尺寸

2600x2600x4400mm

长晶方法

PVT

适用衬底尺寸

8英寸

最高使用温度

2400℃

真空系统

极限真空5x10-4Pa,压升率≤5Pa/12h

气路系统

气体类型:Ar、N₂、H₂等


公司的核心管理和技术研发团队有多年的半导体国际行业背景,在行业内拥有超过20年的经验,区别于传统设备商,有丰富的热场设计和工艺开发经验,能配合客户提升产品开发的速度和品质,并且可以针对性的进行设备定制化开发。公司高度重视人才培养和研发团队建设,不断吸引优秀人才,壮大研发团队,组成了相对独立的研发团队,实现了人才、产品及技术研发等高效运行,使公司能够快速响应不断变化的研发需求,进行持续的技术创新。

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