5月6日，上海易微达光电科技有限公司（以下简称“易微达”）宣布其Multi-Heterogeneous Integration （MHI）硅光异质集成平台取得里程碑式突破：成功演示覆盖 1300 nm至约 2400 nm波段的集成激光源，在单一异质集成架构中实现约 1100 nm连续波长覆盖。

异质集成：硅光技术的重要发展方向

硅光技术即利用硅或与硅兼容的其他材料，应用硅工艺，在同一硅衬底上同时制作若干微纳量级、以光子和/或电子为载体的信息功能器件，形成一个完整的具有综合功能的新型大规模集成芯片。

从产业趋势来看，硅光子技术近年来正加速从数据通信向更广泛的光电子系统延伸。尤其在AI算力、数据中心互连、高性能传感以及车载光学等领域，市场对于高集成度、低功耗、可规模化制造的光子芯片需求不断提升。

由于硅为间接带隙半导体，难以实现高效发光，单纯依靠硅材料本身已难以满足所有性能要求，目前绝大多数采用 III⁃V 族材料的激光器以补充硅的发光局限性。包括英特尔、台积电、imec等国际机构近年来均在推进III-V材料与硅光平台结合，以实现片上激光器、探测器和调制器的一体化集成。通过异质外延的方法能够在硅基衬底上生长激光器虽逐渐成为行业重点方向，但其并不容易实现。

而易微达此次展示的，则将这一方向拓展至超宽光谱范围。1300 nm至2400 nm的大跨度覆盖，不仅意味着平台具备更强兼容性，也为未来多波段协同工作的光子系统提供了基础。例如在未来的集成光谱芯片中，单一平台可能同时实现通信、探测、传感与分析等功能，而不再需要多个独立模块拼接。

此次突破的意义

易微达总经理徐中伟表示：“在单一 MHI 平台上实现 1300 nm至约 2400 nm激光源集成，在这一类异质集成架构中尚属首次。这一里程碑印证了 MHI 平台的设计初衷：一种不受限于任何单一光谱波段或材料体系的集成平台。该成果验证了该平台能够从统一工艺架构出发，支持广泛的光子系统与应用领域。”

在今年3月13日，该企业宣布其自主研发的MHI硅光异质集成平台，成功在硅光子晶圆上实现III-V族激光器件的超高密集异质集成。

易微达MHI平台的核心优势在于其跨材料兼容（material-agnostic）的集成能力——可将III-V族等多种异质材料高效集成至硅光子平台，打破传统集成技术的材料限制，为高集成度光学系统实现更高的功能多样性与集成密度开辟了新路径。

而不到两个月的时间，该公司完成全球首个基于 MHI硅光集成平台，实现该宽光谱范围的集成激光光源验证，标志着光子集成技术迈入宽谱、一体化、可规模化的全新阶段。

关于易微达

易微达光电的核心产品是硅光芯片，公司的硅光芯片核心包括硅基芯片和激光器芯片。公司具备对硅基芯片和激光器芯片设计的独特Know-How，同时公司独有的键合工艺Know-How可以实现硅光芯片中元件的低成本及高良率的高度集成。此外，凭借全新的硅光技术平台，公司不仅可以为客户提供硅光芯片，还可以提供相应的PDK、设计服务、流片服务等一站式解决方案，全方位赋能硅光领域相关应用场景。

在2025“创・在上海”国际创新创业大赛总决赛中，易微达的面向广泛应用的新一代硅光集成平台获初创组三等奖。

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